2． nWE, nWBE, nBE三者之間的關(guān)系

（1）nWE為寫使能信號。

（2）nWBE為“寫字節(jié)使能(write byte enable)”信號，而nBE 為高/低字節(jié)選擇信號。nWBE與nBE共用引腳，可以通過對相關(guān)寄存器設(shè)置來進(jìn)行功能選擇。

（3）什么時候需要nWBE而不是nWE？

nWE和nWBE都帶有寫使能的功能。但既然有nWE，為什么還需要nWBE？這是因為，當(dāng)使用幾片儲存芯片進(jìn)行數(shù)據(jù)位擴(kuò)展時，有時需要對芯片分開寫數(shù)據(jù)，此時可使用nWBE。

在圖5-4中，僅有一片8bit的ROM，因此僅需要nWE，而不需要nWBE。而在圖5-5中，用了2片8bit的ROM，如果不使用nWBE，則寫操作是對2片ROM同時進(jìn)行的，這樣，當(dāng)執(zhí)行寫字節(jié)指令時可能會破壞另一芯片中的數(shù)據(jù)。（注意nWBE的信號是自動產(chǎn)生的。）從這個角度來說，nWBE有字節(jié)數(shù)據(jù)屏蔽的功能。

后面我們也會看到，SDRAM中有DQM信號也是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)屏蔽作用的，那么它們之間區(qū)別何在？

（4）nWBE, nBE有什么區(qū)別？什么時候應(yīng)該配置成nBE？

根據(jù)手冊描述“nBE[3:0] is the AND signal nWBE[3:0] and nOE”，即nBE是nWBE和nOE的“與”信號，這句話給了我們非常重要的啟示，應(yīng)該說深刻揭示出了nWBE, nBE之間的本質(zhì)、內(nèi)涵。

首先看一下真值表：

注意到nWBE[3:0]，nOE僅一根信號線。由此可見，nBE就是字節(jié)選通信號（讀、寫選通）。讀的時候，多片均選通，寫的時候，分片進(jìn)行選通。其實質(zhì)，nBE可看作字節(jié)片選信號。

那么，能不能把上圖5-5中nWBE換成nBE？

如果這樣連接，我們思考一下有什么問題：注意表格陰影行，當(dāng)nWBE無效而nOE有效，nBE有效，這會使存儲器的nWE有效，致使讀寫信號混亂，顯然不行。

事實上，到底用什么，應(yīng)該根據(jù)存儲器芯片來決定。

究竟什么時候需要nBE呢？手冊上給出的SRAM連接圖5-8，5-9給出了示例。同樣我們要問，圖5-8中能不能把SRAM的nWE接nWBE？

如果這樣接，芯片的nBE信號就無法解決，因為nBE和nWBE不能同時工作，這樣就無法單獨操控片內(nèi)的高字節(jié)與低字節(jié)讀寫。這里的nBEx就像是片內(nèi)的高字節(jié)與低字節(jié)的片選信號。

再問，能否將圖5-8中nBE信號換成nWBE信號（硬件連接不變，寄存器配置改變）?

當(dāng)按字節(jié)寫芯片，沒有問題，這時候可以產(chǎn)生有效的nWBE信號，以選擇U/L字節(jié)；而當(dāng)需要按字節(jié)讀芯片時，nWBE無效，無法提供正確的nUB/nLB選擇信號，就無法讀出數(shù)據(jù)，可見行不通。注意，似乎無法真正做到按字節(jié)讀芯片，因為只要nOE有效，nBE一定有效，這樣勢必造成nBE0,nBE1同時有效。即便如此，應(yīng)該不會有什么麻煩，大不了將不需要的字節(jié)數(shù)據(jù)丟棄即可。

3． 下面附上手冊中所給出的其它存儲器擴(kuò)展圖。

（1）ROM

（2）SDRAM

注意nSCS[1:0]就是nGSC[7:6],參看三星官方評估板電路圖。

這里重點關(guān)注DQM[3:0]。經(jīng)查2440手冊，DQM與nWBE引腳是復(fù)用的。參考友善之臂提供的mini2440手冊中所提供的SDRAM電路（同三星官方）：

可見，DQM正是連接到了nWBE。又參考SDRAM的數(shù)據(jù)手冊，對DQM的描述：“Controls output buffers in read mode and masks input data in write mode（即：在讀模式下控制輸出緩沖；在寫模式下屏蔽輸入數(shù)據(jù)。）”。

我們的問題是：為什么DQM連的是nWBE而不是nBE？能不能為nBE？

下圖是SDRAM的數(shù)據(jù)手冊中截取的真值表，從中可以發(fā)現(xiàn)，讀寫控制和DQM毫無關(guān)系。DQM主要在讀、寫時起屏蔽作用。讀-寫是通過nWE的電平狀態(tài)來控制的。

倘若DQM連nBE，需要寫字節(jié)屏蔽信號，則與nWBE沒有分別；讀的時候，若nWBE無效，nBE是否有效取決于2440的nOE——如果nOE無效，那么nBE完全與nWBE一致，而此處確實不需要nOE，所以我個人的結(jié)論認(rèn)為它連nBE也是可行的（未知對否？需通過寫程序驗證）。

另外還有個問題：nWBE是什么時候有效的？讀SDRAM時，需要控制的只是使nWE為高，但這時候nWBE會自動有效嗎？需要程序控制嗎？（較容易設(shè)想的是nWE為低時nWBE自動根據(jù)讀寫字寬確定是否有效）。這個問題看看2440的時序圖就了然了。

附2440時序圖（早沒發(fā)現(xiàn)它；早發(fā)現(xiàn)它早清楚了J）：

另外，ROM/SRAM的時序圖：

附網(wǎng)友帖子（講得太膚淺）：

這個一點也不復(fù)雜。 內(nèi)存的這種接法，使它可以以8位訪問，也可以16位訪問，也可以32位訪問 那4個信號nWBE3~0，正是字節(jié)選通控制。 按8位訪問，也就是代碼中若有： *(unsigned char *) 0x30000000 = 0x78; 就是一個字節(jié)寫，這時只有nBWE0信號有效 如果是0x30000001，則只有nBWE1有效（低），其它無效（高）。 再舉個例，如果是按16位訪問呢？ 如果是16位訪問，代碼一般就是： *(unsigned short *)0x30000000 = 0x1978; 這是一個16位寫。但此時要注意，最低位必須是0，而不能是1，比如地址0x30000001就會使CPU異常，因為必須16位對齊！ dat16 = *(unsigned short *)0x30000002; 這是一個16位讀 在16位訪問時，0x30000000地址寫操作中，nWBE1, 0 = 低，nWBE3, 2 = 高。當(dāng)0x30000002時，則是nWBE3,2為低，nWBE1,0為高（無效） 32位時則是4字節(jié)對齊，也就是最低的兩個地址位A1，A0必須為0，即對于32位訪問，0x30000001, 0x30000002, 0x30000003都會導(dǎo)致異常（出錯） 對于32位訪問，0x30000000的下一個地址是0x30000004，因為這個地址是字節(jié)地址，但一下子就訪問了0x30000000~0x30000003四個字節(jié)，也就是nWBE3~0四個信號一起反應(yīng)?。?！ 不同的CPU訪問的機(jī)制是不一樣的，這要具體看手冊了，是分開片選的

關(guān)鍵詞： 44b0存儲器擴(kuò)展nWEnWBEnB